半導體冷熱沖擊實驗設備技術參數(shù)：

　　※規(guī)格型號：OK-TS-80

　　※內(nèi)箱尺寸：50*40*50cm

　　※內(nèi)箱材質 :SUS 304# 8K鏡面不銹鋼板.

　　※外箱材質：特殊防銹處理之鋼板噴塑或SUS 304#紋路處理之不銹鋼.

　　※高溫槽溫度范圍：+60 ~200℃.

　　※低溫槽溫度范圍：A:(-55 ~ -10℃). B:(-65 ~ -10℃). D:(-80 ~ -10℃).

　　※實驗箱沖擊溫度：高溫 60~150℃

　　※低溫 A:(-10 ~ -40℃) B:( -10 ~ -55℃) D:( -10 ~ -65℃)

　　※升溫時間：60~200℃小于35分

　　※降溫時間：A:+20~-55℃小于75分 B:+20~-65℃小于80分 D:+20~-75℃小于90分.

　　※沖擊恢復時間：高溫(150℃)沖擊30分鐘.

　　※低溫：(-40℃or-55℃or-65℃)沖擊30分鐘.

　　※風門開啓時間： 3秒已內(nèi)

　　※保溫層：PU發(fā)泡.

　　※底座: 國標角鐵+國標槽鋼.

半導體冷熱沖擊實驗用途：

　　用于電子電器零組件、自動化零部件、通訊組件、汽車配件、金屬、化學材料、塑膠等行業(yè)，國防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、

       PCB基扳、電子芯片IC、半導體陶磁及高分子材料之物理牲變化,測試其材料對高、低溫的反復抵拉力及產(chǎn)品于熱脹冷縮產(chǎn)出

       的化學變化或物理傷害，可確認產(chǎn)品的品質,從精密的IC到重機械的組件，無一不需要它的理想測試工具.

設備特點：

　　※具備全自動，高精密系統(tǒng)回路、任一機件動作，*有P.L.C鎖定處理，全部采用P.I.D自動演算控制,溫度控制精度高.

　　※科學的空氣流通循環(huán)設計，使室內(nèi)溫度均勻，避免任何死角;完備的安全保護裝置，避免了任何可能發(fā)生安全隱患，保證設備的長期可靠性

　　※可設定循環(huán)次數(shù)及除霜次數(shù)自動(手動) 除霜.

　　※出風口于回風口感知器檢測控制，風門機構切換時間為10秒內(nèi)完成，冷熱沖擊溫度恢復時間為5分鐘內(nèi)完成。