SEM掃描電鏡（Scanning Electron Microscope）即掃描電子顯微鏡，是一種使用電子進行成像的顯微鏡，其成像模式多樣，能夠提供關(guān)于材料表面形貌、化學(xué)成分和物理性質(zhì)的不同信息。以下是對掃描電鏡常見成像模式的介紹：

一、次外殼成像模式（SEI）

原理：通過探測樣品下方產(chǎn)生的二次電子和表面的次電子來形成所謂的次表面成像。

應(yīng)用：SEI模式可用于研究樣品表面的形貌特征，例如表面粗糙度、形態(tài)等。

二、高角度底層成像模式（BSE）

原理：BSE信號主要來源于高能電子與樣品中的原子作用，尤其是高原子序數(shù)物質(zhì)更散射的電子以及穿透的電子多，因而成像亮度相對較高。

應(yīng)用：BSE模式可以觀察到帶有原子序數(shù)反比于信號強度的圖像，用于研究材料表面顯微組織結(jié)構(gòu)的表征。

三、散射電子成像模式（SED）

原理：散射電子成像可能是從樣品中發(fā)出的慢電子（低能散射）或快電子（高能散射），這些電子的強度反比于原子序數(shù)。

應(yīng)用：SED模式可以顯示材料組織結(jié)構(gòu)、缺陷、晶界面等信息。

四、反射電子成像模式（RSE）

原理：反射電子成像是通過改變電子束的入射角度，使其傾斜到樣品垂直方向，使得電子束的高能電子被反射回來，從而得到自然的反相成像。

應(yīng)用：RSE模式用于材料表面缺陷的直接觀測。

五、掃描透射模式（STEM）

原理：STEM是SEM掃描電鏡的一種**成像技術(shù)，可以呈現(xiàn)出與掃描電鏡圖像不同的信息。STEM成像包括明場像（BF）、暗場像（DF）以及高角度環(huán)形暗場像（HAADF）。

應(yīng)用：STEM模式能夠觀察到隱藏在3D結(jié)構(gòu)中的小顆粒，以及樣品的厚度和成分差異等。它在材料科學(xué)、納米科技等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。

綜上所述，SEM掃描電鏡的成像模式多樣，每種模式都有其獨特的原理和應(yīng)用場景。這些成像模式為科學(xué)研究和實踐應(yīng)用提供了更加豐富和有效的手段，廣泛應(yīng)用于材料科學(xué)、納米科技、生物科學(xué)、環(huán)境科學(xué)等多個領(lǐng)域。